- 专利标题: 一种可控助剂和界面修复的铜铟镓硒电极及其制备方法和在光催化中的应用
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申请号: CN201810092155.0申请日: 2018-01-30
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公开(公告)号: CN110093624B公开(公告)日: 2021-02-05
- 发明人: 巩金龙 , 陈梦馨 , 王拓 , 李澄澄 , 李盎
- 申请人: 天津大学
- 申请人地址: 天津市南开区卫津路92号
- 专利权人: 天津大学
- 当前专利权人: 天津大学
- 当前专利权人地址: 天津市南开区卫津路92号
- 代理机构: 天津创智天诚知识产权代理事务所
- 代理商 王秀奎
- 主分类号: C25B11/04
- IPC分类号: C25B11/04 ; C25B11/052 ; C25B11/061 ; C25B11/087 ; C25B1/04 ; C25B1/55 ; C23C18/00 ; C23C16/455 ; C23C16/40 ; C23C14/35 ; C23C14/18 ; C25D3/50 ; C25D5/00
摘要:
本发明公开了一种可控助剂和界面修复的铜铟镓硒电极及其制备方法和在光催化中的应用,用化学浴沉积的方法在CIGS基底上生长出CdS薄膜,在此基础上,通过原子层沉积的方法在CdS薄膜上依次沉积Al2O3和TiO2薄膜,之后通过直流溅射的方法在TiO2上溅射少量Pt颗粒,然后将这个电极作为光阴极,在光照的条件下施加一定偏压,原位生长光电沉积的Pt颗粒,完成整个电极的制备,且方法简便易行,可控性强,产氢效率高。
公开/授权文献
- CN110093624A 一种可控助剂和界面修复的铜铟镓硒电极及其制备方法和在光催化中的应用 公开/授权日:2019-08-06