本发明涉及一种单晶GaN纳米线及其制备方法，其包括GaN薄膜的MOCVD外延生长、紫外光刻、ICP刻蚀和电化学剥离过程，实现了将GaN薄膜转化成一维GaN纳米线，制备出了长度、厚度和宽度可控的单晶GaN纳米线。通过将外延GaN薄膜、物理化学刻蚀与电化学腐蚀技术结合起来，使得图形化的GaN脱离了原始衬底，获得了一维GaN纳米线，释放其生长时产生的固有内在应力。这种方法成本较低，且操作简单，重复性高，在一维GaN纳米线光电器件研制方面有着广泛的应用前景。