发明授权
- 专利标题: 图像传感器及其形成方法
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申请号: CN201910358075.X申请日: 2019-04-30
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公开(公告)号: CN110061022B公开(公告)日: 2021-04-13
- 发明人: 魏代龙
- 申请人: 德淮半导体有限公司
- 申请人地址: 江苏省淮安市淮阴区长江东路599号
- 专利权人: 德淮半导体有限公司
- 当前专利权人: 德淮半导体有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省淮安市淮阴区长江东路599号
- 代理机构: 中国贸促会专利商标事务所有限公司
- 代理商 欧阳帆
- 主分类号: H01L27/146
- IPC分类号: H01L27/146
摘要:
本公开涉及图像传感器及其形成方法。提供了一种图像传感器,其包括衬底和设置在衬底中的至少一个像素单元,每个像素单元包括:栅极结构,包括嵌入在衬底中的栅极以及设置在衬底中并且围绕栅极的底面和侧面的栅极电介质层;彼此分离地设置在衬底中邻近上表面处的多个浮置扩散区,围绕栅极结构并且与栅极电介质层接触;彼此分离地设置在衬底中的多个光电二极管,与多个浮置扩散区一一对应地设置在其下方并且与栅极电介质层接触,其中每个浮置扩散区具有第一掺杂类型,并且每个光电二极管包括具有第一掺杂类型的第一区域;以及多个沟道形成区,每个沟道形成区设置在相应一个浮置扩散区与相应一个光电二极管的第一区域之间,并且具有第二掺杂类型。
公开/授权文献
- CN110061022A 图像传感器及其形成方法 公开/授权日:2019-07-26
IPC分类: