本发明涉及锂离子负极材料技术领域，具体涉及一种碳纳米层包覆硅负极材料及其制备方法，该制备方法包括如下步骤：A、制备碳前体；B、制备碳硅前体；C、制备碳纳米层包覆硅负极材料。制备的碳硅负极材料为多孔碳包覆纳米硅的纳米片结构，包覆的硅纳米粒子分布于碳层表面。包覆结构极大的降低了硅的体积膨胀；高孔隙率的多孔结构有效的缓解了硅膨胀对电极结构影响；并且碳纳米层提供了较好的导电网络。本发明包覆方法简便，原料来源广泛，价格低廉，工艺条件易控制，操作成本低，极具工业化前景。相比现行的包覆方法，具有包覆层均匀，包覆速率快等优点。本发明的碳纳米层包覆硅负极材料比容量高，循环性能和倍率性能优良。