- 专利标题: 二氢吲哚[3,2-a]咔唑与吡啶类衍生物及其制备方法、应用和器件
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申请号: CN201711395649.8申请日: 2017-12-21
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公开(公告)号: CN109942581B公开(公告)日: 2020-09-04
- 发明人: 穆广园 , 刘飞鸽 , 庄少卿
- 申请人: 武汉尚赛光电科技有限公司
- 申请人地址: 湖北省武汉市高新大道999号未来科技城
- 专利权人: 武汉尚赛光电科技有限公司
- 当前专利权人: 武汉尚赛光电科技有限公司
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市高新大道999号未来科技城
- 代理机构: 北京轻创知识产权代理有限公司
- 代理商 陈卫
- 主分类号: C07D487/04
- IPC分类号: C07D487/04 ; C09K11/06 ; H01L51/00 ; H01L51/54 ; H01L51/46
摘要:
本发明属于光电材料应用科技技术领域,具体涉及二氢吲哚[3,2‑a]咔唑与吡啶类衍生物及其制备方法、应用和器件。本发明所提供的二氢吲哚[3,2‑a]咔唑与吡啶类的衍生物,以二氢吲哚[3,2‑a]咔唑与吡啶类为基本结构单元,进行修饰后得到不对称结构。本发明提供的化合物是一类具有高玻璃化温度,以及空穴的电子传输能力。当其作为空穴传输材料使用时,与现有技术中常用的空穴传输材料4,4',4”‑三(咔唑‑9‑基)三苯胺(TCTA)等空穴传输基团的传统材料相比较,空穴和电子的传输能力有明显提高,在有机电致发光器件中,该系列化合物与传统的空穴传输材料相比,在玻璃化温度、电流效率、功率效率、外量子效率以及滚降方面都有显著的提高,是理想的空穴传输材料。
公开/授权文献
- CN109942581A 二氢吲哚[3,2-a]咔唑与吡啶类衍生物及其制备方法、应用和器件 公开/授权日:2019-06-28