一种顶栅型薄膜晶体管及其制作方法

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专利标题： 一种顶栅型薄膜晶体管及其制作方法
申请号： CN201910227480.8

申请日： 2019-03-25
公开(公告)号： CN109888023B

公开(公告)日： 2022-06-21
发明人: 李民 , 张伟 , 徐苗 , 徐华 , 庞佳威 , 陈子楷 , 张艳丽
申请人： 广州新视界光电科技有限公司
申请人地址： 广东省广州市高新技术产业开发区科学城开源大道11号A1栋第一、二层
专利权人： 广州新视界光电科技有限公司
当前专利权人： 广州新视界光电科技有限公司
当前专利权人地址： 广东省广州市高新技术产业开发区科学城开源大道11号A1栋第一、二层
代理机构： 北京品源专利代理有限公司
代理商 孟金喆
主分类号： H01L29/786
IPC分类号： H01L29/786 ; H01L21/34

摘要：

本发明公开了一种顶栅型薄膜晶体管，所述顶栅型薄膜晶体管包括：衬底、氧化物修饰层、有源层、栅绝缘层、栅极、钝化层、源极和漏极；所述氧化物修饰层设置于所述有源层与所述栅绝缘层之间。氧化物修饰层可对顶栅型薄膜晶体管的性能进行调节，达到了提高稳定性的作用，同时还可将氧化物修饰层和有源层同时进行图形化，可不增加光刻次数，因而在不增加光刻成本的前提下提高了顶栅型薄膜晶体管的性能。

公开/授权文献

CN109888023A 一种顶栅型薄膜晶体管及其制作方法公开/授权日：2019-06-14

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76	...单极器件
H01L29/772	....场效应晶体管
H01L29/78	.....由绝缘栅产生场效应的
H01L29/786	......薄膜晶体管