发明授权
- 专利标题： 有机发光二极管堆栈结构的方法
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申请号： CN201910163330.5申请日： 2019-03-05
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公开(公告)号： CN109873079B公开(公告)日： 2022-10-18
- 发明人: 钟金峰
- 申请人： 业成科技(成都)有限公司 , 业成光电(深圳)有限公司 , 英特盛科技股份有限公司
- 申请人地址： 四川省成都市高新区西区合作路689号; ;
- 专利权人： 业成科技(成都)有限公司,业成光电(深圳)有限公司,英特盛科技股份有限公司
- 当前专利权人： 业成科技(成都)有限公司,业成光电(深圳)有限公司,英特盛科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 四川省成都市高新区西区合作路689号; ;
- 代理机构： 成都希盛知识产权代理有限公司
- 代理商 杨冬梅; 张行知
- 主分类号： H01L51/00
- IPC分类号： H01L51/00 ; H01L51/50 ; H01L51/52 ; H01L51/56
摘要：
本发明提供一种有机发光二极管堆栈结构，包含：一阳极基板、一电洞注入层、一第一电洞传输层、及一蓝色发光层；一第二电洞传输层，堆栈于部分之蓝色发光层之上；一绿色发光层，堆栈于该第二电洞传输层之上；一红色发光层，堆栈于部分之绿色发光层之上；及一电子传输层及一阴极。本发明另提供一种制造本发明所请之有机发光二极管堆栈结构之方法。
公开/授权文献
- CN109873079A 有机发光二极管堆栈结构及其方法 公开/授权日：2019-06-11
IPC分类:
