Invention Grant
- Patent Title: 一种校准太阳能电池伏安特性曲线的方法
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Application No.: CN201811370674.5Application Date: 2018-11-17
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Publication No.: CN109753678BPublication Date: 2020-07-10
- Inventor: 韩宏伟 , 童昌衡 , 荣耀光
- Applicant: 华中科技大学
- Applicant Address: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- Assignee: 华中科技大学
- Current Assignee: 华中科技大学
- Current Assignee Address: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- Agency: 华中科技大学专利中心
- Agent 许恒恒; 李智
- Main IPC: G06F30/20
- IPC: G06F30/20

Abstract:
本发明公开了一种校准太阳能电池伏安特性曲线的方法,包括以下步骤:(1)装配带有不同孔径大小的遮蔽罩;(2)对太阳能电池进行伏安特性曲线的测试,以遮蔽罩孔径面积为测试面积,计算得到短路电流密度数值;(3)处理得出多对孔径倒数‑短路电流密度值;(4)对多对孔径倒数‑短路电流密度值进行二次曲线拟合得到函数关系,其中的零阶拟合函数常数即为有效短路电流密度,从而得到校准后的短路电流密度。本发明通过建立孔径倒数与短路电流密度值两者拟合的函数关系,可校准得到有效短路电流密度值,有效减小遮蔽罩上孔的边缘效应对太阳能电池伏安特性曲线测试造成的误差,从而解决伏安特性曲线测试结果不准的技术问题。
Public/Granted literature
- CN109753678A 一种校准太阳能电池伏安特性曲线的方法 Public/Granted day:2019-05-14
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