- 专利标题： 一种基于FTO/TiO2/MoO3异质结的紫外探测器及其制备方法
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申请号： CN201910003336.6申请日： 2019-01-03
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公开(公告)号： CN109728122B公开(公告)日： 2020-11-20
- 发明人: 尹博 , 阮圣平 , 周敬然 , 刘彩霞 , 董玮 , 张歆东 , 郭文滨 , 沈亮 , 温善鹏 , 张德重
- 申请人： 吉林大学
- 申请人地址： 吉林省长春市前进大街2699号
- 专利权人： 吉林大学
- 当前专利权人： 吉林大学
- 当前专利权人地址： 吉林省长春市前进大街2699号
- 代理机构： 长春吉大专利代理有限责任公司
- 代理商 刘世纯; 王恩远
- 主分类号： H01L31/109
- IPC分类号： H01L31/109 ; H01L31/18
摘要：
一种基于FTO/TiO2/MoO3异质结的紫外探测器及其制备方法，属于无机半导体光电探测器技术领域。从下到上依次由SiO2/FTO衬底、TiO2纳米线、MoO3纳米层、Ag电极组成；待测的紫外光从SiO2/FTO一侧入射；其中SiO2/FTO衬底的厚度为2～3mm，TiO2纳米线的厚度为2～3μm，MoO3纳米层的厚度为2～5nm，Ag电极的厚度为1～3mm。本发明制备的低暗电流、高光暗抑制比、高响应度的紫外探测器具有操作简单，成本较低，且基底材料均为无机半导体材料、无毒环保的特点，具有一定的发展前景和应用价值，对波长330nm～400nm的紫外线具有良好的检测性能。
公开/授权文献
- CN109728122A 一种基于FTO/TiO2/MoO3异质结的紫外探测器及其制备方法 公开/授权日：2019-05-07
IPC分类:
