发明授权
- 专利标题： 半导体器件、其生产方法和层叠体
-
申请号： CN201811153534.2申请日： 2018-09-30
-
公开(公告)号： CN109599371B公开(公告)日： 2023-10-31
- 发明人: 安田浩之 , 菅生道博
- 申请人： 信越化学工业株式会社
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 信越化学工业株式会社
- 当前专利权人： 信越化学工业株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 中国贸促会专利商标事务所有限公司
- 代理商 刘强
- 主分类号： H01L23/29
- IPC分类号： H01L23/29 ; H01L21/56
摘要：
本发明公开半导体器件、其生产方法和层叠体。本文公开了半导体器件，其包括：支持体；在支持体上形成的双层粘合剂树脂层；在粘合剂树脂层上形成的绝缘层和再分布层；芯片层和成型树脂层，其中粘合剂树脂层包括含有能通过光照射分解的树脂的树脂层A和含有非有机硅系热塑性树脂的树脂层B，从支持体侧依次提供树脂层A和树脂层B，能通过光照射分解的树脂为在其主链中含有稠合环的树脂和非有机硅系热塑性树脂具有200℃以上的玻璃化转变温度。
公开/授权文献
- CN109599371A 半导体器件、其生产方法和层叠体 公开/授权日：2019-04-09
IPC分类:
