- 专利标题: 一种利用气相二氧化硅制备疏水性二氧化硅的方法
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申请号: CN201811548332.8申请日: 2018-12-18
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公开(公告)号: CN109592690B公开(公告)日: 2020-06-26
- 发明人: 伊港 , 刘海龙 , 张停 , 张俊 , 石科飞 , 耿宁 , 张帅 , 周玲 , 周磊
- 申请人: 山东东岳有机硅材料股份有限公司
- 申请人地址: 山东省淄博市桓台县唐山镇李寨村段
- 专利权人: 山东东岳有机硅材料股份有限公司
- 当前专利权人: 山东东岳有机硅材料股份有限公司
- 当前专利权人地址: 山东省淄博市桓台县唐山镇李寨村段
- 代理机构: 济南金迪知识产权代理有限公司
- 代理商 韩献龙
- 主分类号: C01B33/18
- IPC分类号: C01B33/18
摘要:
发明提供一种利用气相二氧化硅制备疏水性二氧化硅的方法。该方法包括步骤:气相二氧化硅和乙烯基硅油反应制备表面含有乙烯基的二氧化硅;然后与甲基硅油和卡斯特催化剂的混合物进行混合处理;然后加入四甲基二硅氧烷进行反应,得改性二氧化硅;最后加入α烯烃反应制备得到疏水性二氧化硅。本发明方法使气相二氧化硅表面的羟基处理的较为彻底,本发明将长链烷基接枝于气相二氧化硅的表面,接枝率高,所得到的长链烷基表面改性二氧化硅的疏水性好,疏水稳定性好,与有机物(包括碳链为主的材料)相容性好。
公开/授权文献
- CN109592690A 一种利用气相二氧化硅制备疏水性二氧化硅的方法 公开/授权日:2019-04-09