发明授权
- 专利标题: 磁传感器中的杂散场抑制
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申请号: CN201811061776.9申请日: 2018-09-12
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公开(公告)号: CN109490797B公开(公告)日: 2021-11-09
- 发明人: G·克罗斯 , A·拉维尔 , S·里格特 , S·休伯林登贝格尔
- 申请人: 迈来芯电子科技有限公司
- 申请人地址: 瑞士伯韦
- 专利权人: 迈来芯电子科技有限公司
- 当前专利权人: 迈来芯电子科技有限公司
- 当前专利权人地址: 瑞士伯韦
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 姬利永; 黄嵩泉
- 优先权: 17190942.7 20170913 EP
- 主分类号: G01R33/025
- IPC分类号: G01R33/025
摘要:
本发明涉及一种场传感器设备(99),该场传感器设备包括:参考场传感器(10),用参考电流偏置,该参考场传感器响应于场提供参考传感器信号(14);以及校准场传感器(20),用单独可调电流偏置并响应于该场提供校准传感器信号(24)。控制电路以不同于参考电流的校准电流来控制校准场传感器的可调电流偏置,使得校准场传感器响应于共同场提供基本上等于参考传感器信号的校准传感器信号。该场传感器设备被布置成当处于校准模式时暴露于均匀校准场,并且当处于操作模式时暴露于为场梯度的操作场。
公开/授权文献
- CN109490797A 磁传感器中的杂散场抑制 公开/授权日:2019-03-19