发明授权
- 专利标题： 阻变存储器及其制备方法
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申请号： CN201710801908.6申请日： 2017-09-07
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公开(公告)号： CN109473546B公开(公告)日： 2022-08-09
- 发明人: 吴华强 , 吴威 , 高滨 , 钱鹤
- 申请人： 厦门半导体工业技术研发有限公司
- 申请人地址： 福建省厦门市软件园三期诚毅北大街62号109单元0206号
- 专利权人： 厦门半导体工业技术研发有限公司
- 当前专利权人： 厦门半导体工业技术研发有限公司
- 当前专利权人地址： 福建省厦门市软件园三期诚毅北大街62号109单元0206号
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 彭久云
- 主分类号： H01L45/00
- IPC分类号： H01L45/00
摘要：
一种阻变存储器及其制备方法，该阻变存储器包括：第一电极、第二电极、位于所述第一电极和所述第二电极之间的阻变层、至少一层储热层，所述储热层与所述阻变层相邻，所述储热层的热导率小于所述第一电极和所述第二电极的热导率。该阻变存储器的电导在外加脉冲的条件下无论是增大的过程还是减小的过程，其电导都可以连续变化。
公开/授权文献
- CN109473546A 阻变存储器及其制备方法 公开/授权日：2019-03-15
IPC分类:
