• 专利标题: 一种混联磁路记忆电机
  • 申请号: CN201811187674.1
    申请日: 2018-10-12
  • 公开(公告)号: CN109412293B
    公开(公告)日: 2020-09-11
  • 发明人: 阳辉林鹤云
  • 申请人: 东南大学
  • 申请人地址: 江苏省南京市江宁区东南大学路2号
  • 专利权人: 东南大学
  • 当前专利权人: 东南大学
  • 当前专利权人地址: 江苏省南京市江宁区东南大学路2号
  • 代理机构: 南京苏高专利商标事务所
  • 代理商 张俊范
  • 主分类号: H02K1/27
  • IPC分类号: H02K1/27
一种混联磁路记忆电机
摘要:
本发明公开了一种混联磁路记忆电机,包括混合永磁转子、定子、电枢绕组和转轴,电枢绕组设置在定子上,定子设置在混合永磁转子外部,混合永磁转子包括转子铁心、第一永磁体、第二永磁体、第三永磁体以及三角形磁障,第一永磁体呈一字形径向均布于转子铁心,两个第一永磁体之间设置三角形磁障,第二永磁体和第三永磁体构成V形混合永磁,V形混合永磁对称布置在三角形磁障两侧,第一永磁体与第二永磁体构成串联磁路。本发明可以解决传统内置式永磁记忆电机中,串联型调磁范围窄和并联型交叉耦合去磁严重的问题,以提高电机转矩密度,且可拓宽电机的全工况高效运行范围。
公开/授权文献
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