发明公开
- 专利标题: 一种多模式的ONFI训练电路
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申请号: CN201811388800.X申请日: 2018-11-21
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公开(公告)号: CN109379075A公开(公告)日: 2019-02-22
- 发明人: 孔亮 , 刘亚东 , 庄志青
- 申请人: 灿芯半导体(上海)有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区自由贸易试验区张东路1158号礼德国际2号楼6楼
- 专利权人: 灿芯半导体(上海)有限公司
- 当前专利权人: 灿芯半导体(上海)有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区自由贸易试验区张东路1158号礼德国际2号楼6楼
- 代理机构: 上海湾谷知识产权代理事务所
- 代理商 李晓星
- 主分类号: H03K19/0175
- IPC分类号: H03K19/0175 ; H03K19/0185
摘要:
本发明公开了一种多模式的ONFI训练电路,包括:p组第一PMOS管、p组第二PMOS管和b组NMOS管,p、b为正整数,各第一PMOS管的源极接电源VDDIO,漏极接第一比较器的反相输入端,栅极接第一比较器的输出端;第一比较器的同相输入端接参考信号VREF;各第一PMOS管的漏极通过电阻接地VSSIO;各第二PMOS管的源极接电源VDDIO,漏极接第二比较器的反相输入端,栅极接第一比较器的输出端;第二比较器的同相输入端接参考信号VREF;各NMOS管的漏极连接第二比较器的反相输入端,源极接地VSSIO,栅极接第二比较器的输出端。本发明实现单个cmos管宽度尺寸要足够大的同时,阻抗训练步长足够小。
公开/授权文献
- CN109379075B 一种多模式的ONFI训练电路 公开/授权日:2023-08-29
IPC分类: