发明公开
- 专利标题： 一种硅抛光片缺陷的检测方法
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申请号： CN201811296337.6申请日： 2018-11-01
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公开(公告)号： CN109187580A公开(公告)日： 2019-01-11
- 发明人: 孙强 , 徐伟 , 沈思情 , 柏友荣 , 陈猛
- 申请人： 上海超硅半导体有限公司 , 重庆超硅半导体有限公司
- 申请人地址： 上海市松江区石湖荡镇双金路258弄158号
- 专利权人： 上海超硅半导体有限公司,重庆超硅半导体有限公司
- 当前专利权人： 上海超硅半导体有限公司,重庆超硅半导体有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市松江区石湖荡镇双金路258弄158号
- 代理机构： 北京品源专利代理有限公司
- 代理商 巩克栋
- 主分类号： G01N21/95
- IPC分类号： G01N21/95
摘要：
本发明公开了一种硅晶抛光片缺陷的检测方法，所述检测方法包括：在暗室环境中，将聚光光源垂直照射在预先清洗的硅晶抛光片上，从而检测硅晶抛光片缺陷，其中聚光光源的照度高于40万勒；所述检测方法简单易行，且不需要昂贵的专业设备，大大降低了生产成本；效果直观，可通过肉眼直接鉴别；培训成本低，见效快，可立即投入使用，因此适用于硅晶圆片领域。
公开/授权文献
- CN109187580B 一种硅抛光片缺陷的检测方法 公开/授权日：2021-09-07
