发明授权
- 专利标题: 具有金属柱的多腔室封装结构及其制作方法
-
申请号: CN201810911218.0申请日: 2018-08-10
-
公开(公告)号: CN109087909B公开(公告)日: 2024-08-02
- 发明人: 付伟
- 申请人: 浙江熔城半导体有限公司
- 申请人地址: 浙江省湖州市德清县阜溪街道长虹东街926号(莫干山国家高新区)
- 专利权人: 浙江熔城半导体有限公司
- 当前专利权人: 浙江熔城半导体有限公司
- 当前专利权人地址: 浙江省湖州市德清县阜溪街道长虹东街926号(莫干山国家高新区)
- 代理机构: 苏州威世朋知识产权代理事务所
- 代理商 沈晓敏
- 主分类号: H01L25/07
- IPC分类号: H01L25/07 ; H01L25/16 ; H01L21/56
摘要:
本发明揭示了一种具有金属柱的多腔室封装结构及其制作方法,封装结构包括:封装基板,具有间隔分布的第一、第二、第三腔室;第一滤波器芯片,位于第一腔室,具有第一电极;第二滤波器芯片,位于第二腔室,具有第二电极;放大器芯片,位于第三腔室,具有第三电极;RF开关芯片,设置于基板上方,具有第四电极,第一、第二、第三电极位于同侧;互连结构导通第一、第二、第三、第四电极,互连结构包括金属柱,用于第四电极与第一、第二、第三电极的互连。本发明将多个芯片封装于同一封装基板,实现芯片高度集成;滤波器、放大器及RF开关芯片呈上下分布,提高基板利用率,简化互连结构;滤波器及放大器芯片内嵌于腔室中,使得封装结构更加轻薄。
公开/授权文献
- CN109087909A 具有金属柱的多腔室封装结构及其制作方法 公开/授权日:2018-12-25
IPC分类: