Invention Grant
CN108963229B 一种高性能硅负极活性材料及其制备方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 一种高性能硅负极活性材料及其制备方法
-
Application No.: CN201810808543.4Application Date: 2018-07-23
-
Publication No.: CN108963229BPublication Date: 2021-03-26
- Inventor: 肖伟 , 张开悦 , 赵丽娜 , 刘建国 , 严川伟
- Applicant: 中国科学院金属研究所
- Applicant Address: 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
- Assignee: 中国科学院金属研究所
- Current Assignee: 中国科学院金属研究所
- Current Assignee Address: 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
- Agency: 沈阳优普达知识产权代理事务所
- Agent 张志伟
- Main IPC: H01M4/36
- IPC: H01M4/36 ; H01M4/38 ; H01M4/62 ; H01M10/0525 ; B82Y30/00

Abstract:
本发明涉及锂离子电池用硅负极活性材料的制备及改性领域,特别是一种高性能硅负极活性材料及其制备方法。该硅负极活性材料包括纳米硅颗粒及硅颗粒表面包覆的导电涂层,其制备步骤包括导电涂层溶液的配制,纳米硅分散液的配制,同轴静电纺丝法制备硅活性材料,最后经干燥等获得高性能硅负极活性材料。本发明的硅活性材料具有核壳结构,其核层参与电极反应,发挥高容量特性,壳层发挥电子、离子导电功能及限制纳米硅体积膨胀功能。该材料制备成电极后,除具有较高的容量外,也具有较好的大电流充放电能力及较长的循环充放电寿命,在高能量密度锂离子电池负极中具有良好的应用前景。本发明的制备工艺简单,易于大规模生产,且成本低廉,环境友好。
Public/Granted literature
- CN108963229A 一种高性能硅负极活性材料及其制备方法 Public/Granted day:2018-12-07
Information query