发明授权
- 专利标题: 聚芴衍生物、发光二极管的发光层及其制备方法
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申请号: CN201810372184.2申请日: 2018-04-24
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公开(公告)号: CN108912310B公开(公告)日: 2020-10-09
- 发明人: 应磊 , 钟知鸣 , 彭沣 , 黄飞 , 曹镛
- 申请人: 华南协同创新研究院
- 申请人地址: 广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区生产力大厦168室
- 专利权人: 华南协同创新研究院
- 当前专利权人: 东莞伏安光电科技有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区生产力大厦168室
- 代理机构: 广州市华学知识产权代理有限公司
- 代理商 向玉芳
- 主分类号: C08G61/02
- IPC分类号: C08G61/02 ; H01L51/50 ; H01L51/54
摘要:
本发明公开聚芴衍生物、发光二极管的发光层及其制备方法。本发明将S,S‑二氧‑二苯并噻吩单元的芴进行Suzuki聚合反应,得到所述侧链含S,S‑二氧‑二苯并噻吩单元或S‑氧‑二苯并噻吩单元或二苯并噻吩及其衍生物的聚芴衍生物。本发明在聚芴衍生物的侧链修饰电子传输单元,与空穴传输占主导的主链形成互补,主链并不与吸电性的S,S‑二氧‑二苯并噻吩直接共轭,使聚合物由于同时含有电子传输单元和空穴传输单元,且保持了聚合物的光谱纯度及稳定性,有利于器件效率的提高,同时具有良好的溶解性,可用于聚合物发光二极管发光层的制备。
公开/授权文献
- CN108912310A 聚芴衍生物、发光二极管的发光层及其制备方法 公开/授权日:2018-11-30