Invention Publication
CN108899221A 一种氧化钴薄膜电极的原位制备方法
无效 - 驳回
- Patent Title: 一种氧化钴薄膜电极的原位制备方法
- Patent Title (English): In-situ preparation method of cobalt oxide film electrode
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Application No.: CN201810617272.4Application Date: 2018-06-15
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Publication No.: CN108899221APublication Date: 2018-11-27
- Inventor: 樊玉欠 , 李丽霞 , 王璐萌 , 余文婷 , 马志鹏 , 邵光杰
- Applicant: 燕山大学
- Applicant Address: 河北省秦皇岛市海港区河北大街西段438号
- Assignee: 燕山大学
- Current Assignee: 燕山大学
- Current Assignee Address: 河北省秦皇岛市海港区河北大街西段438号
- Agency: 秦皇岛一诚知识产权事务所
- Agent 李合印
- Main IPC: H01G11/86
- IPC: H01G11/86 ; H01M4/1391

Abstract:
一种氧化钴薄膜电极的原位制备方法,其主要步骤包括:(1)将金属镍基体清洗除尘、除锈、除油以获得清洁的镍表面;(2)通过电镀技术在金属镍基体表面电沉积金属钴层;(3)配置原位制备所用的电解质溶液,溶剂为去离子水,溶质主要成分为碳酸盐;(4)将清洗干净的镀钴的电极浸入到所配置的电解质溶液中,通过自氧化技术对电极表面进行持续活化;(5)将完成上步反应的电极取出,清洗并干燥后放在坩埚中,置于马弗炉中在150℃-500℃热处理2小时,即可获得氧化钴薄膜电极。本发明工艺简单、原材料简单、易于操作、生产成本低,所制备薄膜电极导电性好、比表面积高、储能活性高,适合工业化大生产。
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