一种氧化钴薄膜电极的原位制备方法
Abstract:
一种氧化钴薄膜电极的原位制备方法,其主要步骤包括:(1)将金属镍基体清洗除尘、除锈、除油以获得清洁的镍表面;(2)通过电镀技术在金属镍基体表面电沉积金属钴层;(3)配置原位制备所用的电解质溶液,溶剂为去离子水,溶质主要成分为碳酸盐;(4)将清洗干净的镀钴的电极浸入到所配置的电解质溶液中,通过自氧化技术对电极表面进行持续活化;(5)将完成上步反应的电极取出,清洗并干燥后放在坩埚中,置于马弗炉中在150℃-500℃热处理2小时,即可获得氧化钴薄膜电极。本发明工艺简单、原材料简单、易于操作、生产成本低,所制备薄膜电极导电性好、比表面积高、储能活性高,适合工业化大生产。
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