- 专利标题: 用于混合存储器中的写入和刷新支持的系统和方法
- 专利标题(英): SYSTEMS AND METHODS FOR WRITE AND FLUSH SUPPORT IN HYBRID MEMORY
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申请号: CN201810376289.5申请日: 2018-04-25
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公开(公告)号: CN108874701A公开(公告)日: 2018-11-23
- 发明人: 张牧天 , 牛迪民 , 郑宏忠 , 南喜铉 , 赵永进 , 林璇渶
- 申请人: 三星电子株式会社
- 申请人地址: 韩国京畿道水原市
- 专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道水原市
- 代理机构: 北京铭硕知识产权代理有限公司
- 代理商 田方; 曾世骁
- 优先权: 62/503,835 20170509 US 15/669,851 20170804 US
- 主分类号: G06F13/16
- IPC分类号: G06F13/16
摘要:
提供用于混合存储器中的写入和刷新支持的系统和方法。一种存储器模块包括:存储器控制器,包括:主机层;介质层,被连接到非易失性存储器;逻辑核,被连接到主机层、介质层和易失性存储器,其中,逻辑核存储包括多个行的第一写入组表,并且逻辑核被配置为:接收包括高速缓存行地址和写入组标识符的持久写入命令;接收与所述持久写入命令相关联的数据;将所述数据写入到易失性存储器的所述高速缓存行地址;将所述高速缓存行地址存储在第二写入组表的多个缓冲器中的被选择的缓冲器中,其中,所述被选择的缓冲器与所述写入组标识符相应;更新第一写入组表的行以标识所述被选择的缓冲器的包括有效条目的位置,其中,所述行与所述写入组标识符相应。
公开/授权文献
- CN108874701B 用于混合存储器中的写入和刷新支持的系统和方法 公开/授权日:2023-04-28