Invention Publication
- Patent Title: 用于近场多发多收阵列雷达成像的阵元分布结构及该阵列
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Application No.: CN201810514576.8Application Date: 2018-05-25
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Publication No.: CN108732567APublication Date: 2018-11-02
- Inventor: 周剑雄 , 朱荣强
- Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
- Applicant Address: 湖南省长沙市开福区砚瓦池正街47号
- Assignee: 中国人民解放军国防科技大学
- Current Assignee: 中国人民解放军国防科技大学
- Current Assignee Address: 湖南省长沙市开福区砚瓦池正街47号
- Agency: 长沙正奇专利事务所有限责任公司
- Agent 马强; 李美丽
- Main IPC: G01S13/89
- IPC: G01S13/89 ; G01S7/35

Abstract:
本发明公开了一种用于近场多发多收阵列雷达成像的阵元分布结构及该阵列,多发多收阵列包括一发射阵列和一接收阵列;阵元分布结构包括第一分布结构和第二分布结构;第一分布结构为发射阵元的分布结构、第二分布结构为接收阵元的分布结构或反之;第一分布结构包括共线并等间隔分布的N2个子阵,各子阵包括共线并等间隔分布的N1个阵元,各子阵中相邻阵元间的距离为D1,相邻子阵间的中心距离为D2,第一分布结构中的所有阵元共线;第二分布结构包括共线并等间隔分布的N3个阵元,第二分布结构中相邻阵元间的距离为D3;N1≥2,N2≥2,N3>N1,D3=N1×D1,D2=N1×D3。本发明改善了多发多收阵列对目标的照射条件,提高了成像质量,并降低了成像结果中的栅瓣水平。
Public/Granted literature
- CN108732567B 用于近场多发多收阵列雷达成像的阵元分布结构及该阵列 Public/Granted day:2023-11-14
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