发明授权
- 专利标题: MoP@C纳米线及其制备方法和应用
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申请号: CN201810445943.3申请日: 2018-05-11
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公开(公告)号: CN108615613B公开(公告)日: 2020-02-18
- 发明人: 麦立强 , 沈远浩 , 姜亚龙 , 魏湫龙 , 安琴友
- 申请人: 武汉理工大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号
- 专利权人: 武汉理工大学
- 当前专利权人: 武汉理工大学
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号
- 代理机构: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司
- 代理商 崔友明
- 主分类号: H01G11/24
- IPC分类号: H01G11/24 ; H01G11/30 ; H01G11/06 ; H01G11/86 ; B82Y30/00
摘要:
本发明涉及一种由碳包覆的MoP纳米颗粒搭接而成的MoP@C纳米线的制备方法,其由碳包覆的MoP纳米颗粒搭接而成,所述的纳米线长度为2‑4微米,直径100‑200纳米,具有丰富的孔结构,其主要孔径在15‑20纳米,BET比表面积可达26m2/g,并且其碳包覆的碳层厚度为2‑5纳米。本发明的有益效果是:基于纳米结构优化机制,本发明通过简单快捷的方法合成了由碳包覆的MoP纳米颗粒搭接而成的MoP@C纳米线。将本发明制备的由碳包覆的MoP纳米颗粒搭接而成的MoP@C纳米线作为钠离子电容器负极材料时,展示了优异的倍率与循环稳定性。并与Na3V2O2(PO4)2F组装成的全电容表现出优异的电化学性能。
公开/授权文献
- CN108615613A MoP@C纳米线及其制备方法和应用 公开/授权日:2018-10-02