采用MOSFET的紧凑型三维存储器及其制造方法

发明公开

CN108511437A 采用MOSFET的紧凑型三维存储器及其制造方法无效 - 撤回

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专利标题： 采用MOSFET的紧凑型三维存储器及其制造方法
专利标题（英）： Compact 3D memory with MOSFET and manufacturing method of memory
申请号： CN201710105767.4

申请日： 2017-02-27
公开(公告)号： CN108511437A

公开(公告)日： 2018-09-07
发明人: 张国飙
申请人： 成都海存艾匹科技有限公司
申请人地址： 四川省成都市永丰路6号B-36
专利权人： 成都海存艾匹科技有限公司
当前专利权人： 成都海存艾匹科技有限公司
当前专利权人地址： 四川省成都市永丰路6号B-36
主分类号： H01L27/102
IPC分类号： H01L27/102 ; H01L21/822 ; G11C17/12

摘要：

本发明提出一种采用MOSFET的紧凑型三维存储器（3D-MC）。在高于衬底的存储层中，x地址线从存储阵列延伸到解码级。MOSFET晶体管形成在x地址线上，并成为一解码器件。在解码器件中，x地址线与控制线的重叠部分是半导体。

摘要（英）：

The invention provides a compact 3D memory (3D-MC) with a MOSFET. In a storage layer higher than a substrate, an x address line extends from a storage array to a decoding level. The MOSFET is formed in the x address line, and forms a decoding device. In the decoding device, a superposed part between the x address line and a control line includes a semiconductor.

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L27/00	由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L23/00，H01L29/00至H01L51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L25/00）
H01L27/02	.包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04	..其衬底为半导体的
H01L27/10	...在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/102	....包含双极型组件的