- 专利标题: 一种基于椭球谐函数理论的电离层垂直总电子含量建模方法
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申请号: CN201810223959.X申请日: 2018-03-19
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公开(公告)号: CN108491616B公开(公告)日: 2022-03-08
- 发明人: 胡伍生 , 孙博 , 龙凤阳 , 董彦锋
- 申请人: 东南大学
- 申请人地址: 江苏省南京市江宁区东南大学路2号
- 专利权人: 东南大学
- 当前专利权人: 东南大学
- 当前专利权人地址: 江苏省南京市江宁区东南大学路2号
- 代理机构: 南京苏高专利商标事务所
- 代理商 饶欣
- 主分类号: G06F30/20
- IPC分类号: G06F30/20 ; G01S19/42 ; G01S19/37
摘要:
本发明公开了一种基于椭球谐函数理论的电离层垂直总电子含量建模方法,包括以下步骤:S1:获取区域观测点的穿刺点地理经度、穿刺点地理纬度和穿刺点垂直方向的电子含量;S2:对地心纬度进行归化计算;S3:选定椭球谐函数的阶数,采用椭球谐函数建立区域电离层垂直总电子含量模型;S4:通过最小二乘法计算区域电离层垂直总电子含量模型的参数,对区域电离层垂直总电子含量模型进行修正。本发明与现有技术相比,更加准确的描述了电离层延迟信息随时间的非线性振动特性,较好的模拟了区域电离层的时空变化特征,有效提高了模型精度。
公开/授权文献
- CN108491616A 一种基于椭球谐函数理论的电离层垂直总电子含量建模方法 公开/授权日:2018-09-04