发明授权
- 专利标题: 一种硅太阳能电池及其制备方法
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申请号: CN201810421099.0申请日: 2018-05-04
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公开(公告)号: CN108461580B公开(公告)日: 2019-08-23
- 发明人: 张军
- 申请人: 南通北外滩建设工程有限公司
- 申请人地址: 江苏省南通市海门经济技术开发区广州路999号
- 专利权人: 南通北外滩建设工程有限公司
- 当前专利权人: 南通北外滩建设工程有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省南通市海门经济技术开发区广州路999号
- 主分类号: H01L31/18
- IPC分类号: H01L31/18
摘要:
本发明涉及一种硅太阳能电池及其制备方法,该方法包括以下步骤:在N型单晶硅片的上表面制备硅纳米线阵列、第一界面修饰层的制备、第二界面修饰层的制备、第一PEDOT:PSS层的制备、第二PEDOT:PSS层的制备、在所述第二PEDOT:PSS层的整个表面热蒸镀金属铜、正面栅电极的制备以及背面电极的制备。通过改善硅基核壳结构光伏电池的结构以及制备工艺,有效提高了本发明的硅太阳能电池的光电转换效率。
公开/授权文献
- CN108461580A 一种硅太阳能电池及其制备方法 公开/授权日:2018-08-28
IPC分类: