发明授权
- 专利标题: 具有电力网结构的半导体存储器件
-
申请号: CN201710811379.8申请日: 2017-09-11
-
公开(公告)号: CN108461097B公开(公告)日: 2022-01-04
- 发明人: 张南海
- 申请人: 爱思开海力士有限公司
- 申请人地址: 韩国京畿道
- 专利权人: 爱思开海力士有限公司
- 当前专利权人: 爱思开海力士有限公司
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道
- 代理机构: 北京三友知识产权代理有限公司
- 代理商 李辉; 刘久亮
- 优先权: 10-2017-0021326 20170217 KR
- 主分类号: G11C5/14
- IPC分类号: G11C5/14
摘要:
一种具有电力网结构的半导体存储器件,其包括:外围电路,其包括分别设置第二区域和第三区域中的第一单元电路块和第二单元电路块,第二区域和第三区域在第一方向上彼此相邻且第一区域位于第二区域和第三区域之间;第一金属层,其设置在外围电路上方;第二金属层,其设置在第一金属层上方;第一电力线,其设置在第一金属层中并且适于将操作电压传送到第一单元电路块;第二电力线,其设置在第一金属层中并适于将操作电压传送到第二单元电路块;和桥接电力线,其设置在第一区域中的第二金属层中,并且沿与第一方向相交的第二方向延伸。
公开/授权文献
- CN108461097A 具有电力网结构的半导体存储器件 公开/授权日:2018-08-28