一种表面原位生成纳米SiC的复合CNTs的制备方法
摘要:
本发明公开了一种表面原位生成纳米SiC的复合CNTs的制备方法,通过同步超声分散和机械搅拌,在PVP乙醇溶液中将特定比例的纳米硅粉均匀粘附于CNTs表面,然后通过原位反应在CNTs表面生成一层纳米级厚度的SiC,形成具有芽杆或壳芯结构的SiC/CNTs复合材料。本发明方法制备的SiC/CNTs材料不破坏CNTs的结构,且能保证CNTs和SiC的分散均匀性,在基体材料中将减少CNTs与基体之间的直接接触,调控CNTs与基体之间的界面反应,增强CNTs与基体之间的界面结合,在提高金属基体力学性能的同时保留基体良好的导电、导热以及高延性。
0/0