- 专利标题: 一种表面原位生成纳米SiC的复合CNTs的制备方法
- 专利标题(英): Preparation method of composite CNTs (Carbon Nanotubes) with nano SiC generated in situ on surfaces
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申请号: CN201711469513.7申请日: 2017-12-29
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公开(公告)号: CN108217629A公开(公告)日: 2018-06-29
- 发明人: 李树丰 , 张鑫 , 张昂昂 , 潘登
- 申请人: 西安理工大学
- 申请人地址: 陕西省西安市金花南路5号
- 专利权人: 西安理工大学
- 当前专利权人: 西安理工大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市金花南路5号
- 代理机构: 西安弘理专利事务所
- 代理商 蒋姝泓
- 主分类号: C01B32/168
- IPC分类号: C01B32/168 ; D06M11/77 ; D06M101/40
摘要:
本发明公开了一种表面原位生成纳米SiC的复合CNTs的制备方法,通过同步超声分散和机械搅拌,在PVP乙醇溶液中将特定比例的纳米硅粉均匀粘附于CNTs表面,然后通过原位反应在CNTs表面生成一层纳米级厚度的SiC,形成具有芽杆或壳芯结构的SiC/CNTs复合材料。本发明方法制备的SiC/CNTs材料不破坏CNTs的结构,且能保证CNTs和SiC的分散均匀性,在基体材料中将减少CNTs与基体之间的直接接触,调控CNTs与基体之间的界面反应,增强CNTs与基体之间的界面结合,在提高金属基体力学性能的同时保留基体良好的导电、导热以及高延性。
公开/授权文献
- CN108217629B 一种表面原位生成纳米SiC的复合CNTs的制备方法 公开/授权日:2019-07-23