Invention Publication
- Patent Title: 半导体发光装置
- Patent Title (English): Semiconductor light emitting device
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Application No.: CN201711363231.9Application Date: 2017-12-18
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Publication No.: CN108206235APublication Date: 2018-06-26
- Inventor: 金廷城 , 朴昌守 , 朴正圭 , 崔兑营
- Applicant: 三星电子株式会社
- Applicant Address: 韩国京畿道
- Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee Address: 韩国京畿道
- Agency: 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- Agent 张帆; 张青
- Priority: 10-2016-0172480 20161216 KR
- Main IPC: H01L33/62
- IPC: H01L33/62 ; H01L33/50 ; H01L33/60

Abstract:
一种半导体发光装置包括:封装主体,其具有腔体,并且具有布置在腔体的底表面上的第一布线电极和第二布线电极;发光二极管(LED)芯片,其包括其上具有第一电极和第二电极的第一表面、第二表面和侧表面,LED芯片安装在腔体中,以使得第一表面面对底表面;波长转换膜,其位于LED芯片的第二表面上,并且包括第一波长转换材料;以及腔体中的反射树脂部分,其包围LED芯片。
Public/Granted literature
- CN108206235B 半导体发光装置 Public/Granted day:2023-07-04
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IPC分类: