具有自对准栅极的穿隧FINFET

发明授权

请登陆查看更多内容

专利标题： 具有自对准栅极的穿隧FINFET
申请号： CN201710831733.3

申请日： 2017-09-15
公开(公告)号： CN108074968B

公开(公告)日： 2021-12-07
发明人: E·J·诺瓦克 , R·阿斯拉 , M·V·R·M·科塔
申请人： 格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请人地址： 美国加利福尼亚州
专利权人： 格芯(美国)集成电路科技有限公司
当前专利权人： 格芯(美国)集成电路科技有限公司
当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
代理机构： 北京戈程知识产权代理有限公司
代理商 程伟; 王锦阳
优先权： 15/354,047 20161117 US
主分类号： H01L29/10
IPC分类号： H01L29/10 ; H01L29/739 ; H01L21/331 ; B82Y40/00

摘要：

本发明涉及具有自对准栅极的穿隧FINFET，其用于穿隧场效应晶体管(TFET)的结构及方法。该TFET包括栅极电极、具有第一导电类型的源极区、具有与该第一导电类型相反的第二导电类型的漏极区、以及使该栅极电极与该源极区及该漏极区分开的介电层。该介电层在该源极区与该漏极区之间提供沟道区。该沟道区包括介于该源极区与该栅极电极之间的较薄穿隧介电质、及介于该栅极电极与该漏极区之间的较厚漂移介电质。

公开/授权文献

CN108074968A 具有自对准栅极的穿隧FINFET 公开/授权日：2018-05-25

信息查询

中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/02	.按其半导体本体的特征区分的
H01L29/06	..按其形状区分的；按各半导体区域的形状、相对尺寸或配置区分的
H01L29/10	...具有连接到1个不通有待整流、放大或切换的电流的电极上去的半导体区域的；并且这样的电极又是包含3个或更多个电极的半导体器件的组成部分的