- 专利标题: 一种高介电性能聚偏氟乙烯碳化钛纳米片复合材料的制备方法
-
申请号: CN201711290938.1申请日: 2017-12-07
-
公开(公告)号: CN108003520B公开(公告)日: 2020-04-17
- 发明人: 刘晓旭 , 李彦鹏 , 李娜 , 闫凯 , 岳东
- 申请人: 陕西科技大学
- 申请人地址: 陕西省西安市未央大学园区
- 专利权人: 陕西科技大学
- 当前专利权人: 大同共聚(西安)科技有限公司
- 当前专利权人地址: 710075 陕西省西安市高新区科技路48号创业广场1幢C0101号房1F412
- 代理机构: 哈尔滨市松花江专利商标事务所
- 代理商 李红媛
- 主分类号: C08L27/16
- IPC分类号: C08L27/16 ; C08K7/00 ; C08J5/18 ; C01B32/921
摘要:
一种高介电性能聚偏氟乙烯碳化钛纳米片复合材料的制备方法,它涉及一种聚偏氟乙烯复合材料的制备方法。本发明的目的是要解决现有聚偏氟乙烯的介电常数低的问题。方法:一、制备二维层状TiC纳米片;二、复合,得到碳化钛纳米片质量分数为5%~20%的高介电性能聚偏氟乙烯碳化钛纳米片复合材料。本发明制备的高介电性能聚偏氟乙烯碳化钛纳米片复合材料可应用于微电子加工、集成电路、高效率储能元件领域;本发明制备的高介电性能聚偏氟乙烯碳化钛纳米片复合材料的介电常数为9.8~19.1。本发明可获得一种高介电性能聚偏氟乙烯碳化钛纳米片复合材料。
公开/授权文献
- CN108003520A 一种高介电性能聚偏氟乙烯碳化钛纳米片复合材料的制备方法 公开/授权日:2018-05-08