Invention Grant
- Patent Title: 一种加工硅基材料的大气感应耦合等离子体发生器
-
Application No.: CN201711409759.5Application Date: 2017-12-23
-
Publication No.: CN107969061BPublication Date: 2023-09-19
- Inventor: 余德平 , 吴杰 , 段亚洲 , 邱吉尔 , 姚进
- Applicant: 四川大学
- Applicant Address: 四川省成都市武侯区一环路南一段24号
- Assignee: 四川大学
- Current Assignee: 四川大学
- Current Assignee Address: 四川省成都市武侯区一环路南一段24号
- Main IPC: H05H1/30
- IPC: H05H1/30

Abstract:
本发明公开了一种加工硅基材料的大气感应耦合等离子体(ICP)发生器,主要由分体式炬管、炬管安装座、弹簧夹头、单匝线圈、端盖板、喷嘴和底板组成。与现有的用于硅基材料加工的ICP发生器相比,本发明具有以下突出优点:1.提升加工表面质量,采用两个与炬管同轴布置的单匝线圈,设定参数不变的条件下可长时间产生去除函数直径不变的等离子体射流;2.降低成本,分体式炬管的内管和中管采用难以被活性反应粒子刻蚀的材料,降低炬管的替换和维修成本;3.炬管同轴度更高,外管与内管均依靠一体式中管管座段的台阶面进行定位,更利于稳定等离子体;4.实现加工分辨率可调,调整喷嘴内体的结构尺寸,可得到不同去除函数直径。
Public/Granted literature
- CN107969061A 一种加工硅基材料的大气感应耦合等离子体发生器 Public/Granted day:2018-04-27
Information query
IPC分类: