发明授权
- 专利标题: 氧化物超导体及其制造方法
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申请号: CN201680047826.0申请日: 2016-07-27
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公开(公告)号: CN107922208B公开(公告)日: 2019-07-02
- 发明人: 林真理子 , 荒木猛司 , 福家浩之 , 小林奈央
- 申请人: 株式会社东芝
- 申请人地址: 日本东京
- 专利权人: 株式会社东芝
- 当前专利权人: 株式会社东芝
- 当前专利权人地址: 日本东京
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 温剑; 董庆
- 优先权: 2016-035645 20160226 JP
- 国际申请: PCT/JP2016/072064 2016.07.27
- 国际公布: WO2017/145401 JA 2017.08.31
- 进入国家日期: 2018-02-12
- 主分类号: H01B12/06
- IPC分类号: H01B12/06 ; H01B13/00 ; C01G1/00 ; C01G3/00
摘要:
实施方式的氧化物超导体具备氧化物超导层,该氧化物超导层含有单晶、2.0×1015原子/cc以上5.0×1019原子/cc以下的氟和1.0×1017原子/cc以上5.0×1020原子/cc以下的碳,所述单晶具有含有选自钇、镧、钕、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱及镥中的至少1种稀土类元素、钡、以及铜的连续的钙钛矿结构,钙钛矿结构的稀土元素的位点的一部分中含有镨,相对于至少1种稀土类元素与镨的总量,镨的摩尔比在0.00000001以上0.2以下。
公开/授权文献
- CN107922208A 氧化物超导体及其制造方法 公开/授权日:2018-04-17