发明公开
- 专利标题: 一种可调节高阻抗小型化高压二极管
- 专利标题(英): Adjustable high-impedance miniaturized high-voltage diode
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申请号: CN201711360438.0申请日: 2017-12-18
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公开(公告)号: CN107895719A公开(公告)日: 2018-04-10
- 发明人: 李春霞 , 张新凯 , 宋法伦 , 王淦平 , 李飞 , 李文君 , 金晓 , 甘延青 , 康强 , 张琦
- 申请人: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
- 申请人地址: 四川省绵阳市游仙区919信箱1013分箱
- 专利权人: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
- 当前专利权人: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
- 当前专利权人地址: 四川省绵阳市游仙区919信箱1013分箱
- 代理机构: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司
- 代理商 沈强
- 主分类号: H01L23/48
- IPC分类号: H01L23/48 ; H01L29/861
摘要:
本发明公开了一种可调节高阻抗小型化高压二极管,包括绝缘子、阳极筒、阴极杆、阴极座、环形阴极和飘移管,所述阳极筒与飘移管同轴线设置,其外部表面同轴设置有主引导磁场,所述阴极杆、阴极座、环形阴极依次同轴连接为一体,与阳极筒同轴线设置,与阳极筒在轴向位置上不重叠,所述阴极杆上同轴设置有补充磁场,所述环形阴极与阳极筒之间的轴向距离可以调节;本发明能够实现高压二极管的高阻抗性能,设计巧妙,结构简单易于实现,使用方便且制作和维护费用较低,体积小,重量轻,能耗低,在高阻抗微波器件研制中具有广泛的应用前景,在移动平台应用中尤为有利,具有突出的实质性特点和显著进步,适合大规模推广应用。
公开/授权文献
- CN107895719B 一种可调节高阻抗小型化高压二极管 公开/授权日:2024-07-02
IPC分类: