一种基于光学折射率变化的超宽带中子探测器
摘要:
本发明公开了一种基于光学折射率变化的超宽带中子探测器,属于核辐射探测技术领域,包括:由顺序固定的碳氢材料层、碘化铯层、半导体和衬底组成的探测单元、高压电源及中子束;在碳氢材料层和衬底的外表面上分别电镀第一金属膜和第二金属膜;第一金属膜与高压电源的负极电性连接;中子束入射到所述探测单元后,中子与碳氢材料层中的质子发生碰撞,产生反冲质子,反冲质子进入碘化铯层后产生自由电子;通过第一金属膜和第二金属膜之间负高压的电场作用将碘化铯层中产生的自由电子注入到半导体中,引起半导体的光学折射率变化;该探测器能够将中子束转化为半导体材料的折射率变化,利用光学干涉测量半导体材料的折射率变化获得中子束的强度信息。
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