发明授权
CN107892330B 一种片堆二硫化钼纳米管的制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种片堆二硫化钼纳米管的制备方法
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申请号: CN201711251622.1申请日: 2017-12-01
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公开(公告)号: CN107892330B公开(公告)日: 2019-06-25
- 发明人: 张超 , 刘颖 , 刘天西 , 刘思良 , 王开 , 周俊 , 杨静
- 申请人: 东华大学
- 申请人地址: 上海市松江区松江新城人民北路2999号
- 专利权人: 东华大学
- 当前专利权人: 东华大学
- 当前专利权人地址: 上海市松江区松江新城人民北路2999号
- 代理机构: 上海泰能知识产权代理事务所
- 代理商 黄志达; 魏峯
- 主分类号: C01G39/06
- IPC分类号: C01G39/06 ; B82Y40/00
摘要:
本发明涉及一种片堆二硫化钼纳米管的制备方法,包括:将钼源与氯化钠溶于溶剂中,搅拌,水热反应,冷却,抽滤,洗涤,干燥,得到氧化钼纳米带,与硫源混合,研磨,在保护气下硫化,洗涤,抽滤,干燥,即得。本发明简单、高效,易于操作,是一种有效快捷的制备方法,具有大规模制备的前景;制备得到的片堆二硫化钼纳米管在结构上,二硫化钼表现为超薄纳米片,且自组装成三维的纳米管,这种结构有利于硫化钼活性位点的充分暴露。
公开/授权文献
- CN107892330A 一种片堆二硫化钼纳米管的制备方法 公开/授权日:2018-04-10
IPC分类: