发明授权
CN107884865B 基于硅纳米砖超材料的圆偏振起偏器及制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 基于硅纳米砖超材料的圆偏振起偏器及制备方法
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申请号: CN201711185924.3申请日: 2017-11-23
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公开(公告)号: CN107884865B公开(公告)日: 2019-05-10
- 发明人: 邓联贵 , 郑国兴 , 李子乐 , 戴琦 , 邓娟 , 付娆 , 陶金 , 杨奇 , 刘勇 , 毛庆洲 , 何平安 , 李松
- 申请人: 武汉大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学
- 专利权人: 武汉大学
- 当前专利权人: 武汉大学
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学
- 代理机构: 武汉科皓知识产权代理事务所
- 代理商 张火春
- 主分类号: G02B5/30
- IPC分类号: G02B5/30 ; G02B1/00
摘要:
本发明公开了基于硅纳米砖超材料的圆偏振起偏器及制备方法,该圆偏振起偏器包括一基底、三反射式纳米砖阵列和一透射式纳米砖阵列;基底的一侧面的上部和下部分别有一反射式纳米砖阵列,与该一侧面相对的另一侧面的上部和中部分别有一透射式纳米砖阵列和一反射式纳米砖阵列;反射式纳米砖阵列由在基底上周期性排列的反射式纳米砖阵列单元构成;反射式纳米砖阵列单元由在基底上等间距排列成一行的若干方向角不同的电介质纳米砖构成;透射式纳米砖阵列由在基底上排列成阵列的电介质纳米砖构成。本发明可将一束随机偏振态的入射光,高效转换为两束旋向相同且传播方向不变的圆偏光;同时,本发明还具有低损耗、易制造、结构紧凑、宽带适用等优点。
公开/授权文献
- CN107884865A 基于硅纳米砖超材料的圆偏振起偏器及制备方法 公开/授权日:2018-04-06