Invention Publication
- Patent Title: 一种硅碳负极材料的制备方法及该硅碳负极材料
- Patent Title (English): Preparation method of silicon carbon negative electrode material and silicon carbon negative electrode material
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Application No.: CN201711032312.0Application Date: 2017-10-30
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Publication No.: CN107749474APublication Date: 2018-03-02
- Inventor: 孙利佳 , 刘文缙 , 陈一帆 , 安永昕 , 曹炬
- Applicant: 北京万源工业有限公司
- Applicant Address: 北京市大兴区北京经济技术开发区锦绣街6号航天科技园
- Assignee: 北京万源工业有限公司
- Current Assignee: 北京万源工业有限公司
- Current Assignee Address: 北京市大兴区北京经济技术开发区锦绣街6号航天科技园
- Agency: 核工业专利中心
- Agent 王洁
- Main IPC: H01M4/36
- IPC: H01M4/36 ; H01M4/38 ; H01M4/62 ; H01M10/0525

Abstract:
本发明涉及一种硅碳负极材料的制备方法,具体步骤是采用离子液体或离子液体和其他有机物的混合物作为碳源,对硅材料进行高温热解碳包覆。本发明中所使用的离子液体的阴离子为含氟阴离子。本发明还包括采用上述制备方法制得的硅碳负极材料及其在制备锂电池中的应用。本发明制备方法简单,能够有效提升硅碳负极材料的循环性能。
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