本发明提供一种外围电路接触孔形成方法、三维存储器及电子设备。其中，所述外围电路接触孔形成方法，包括：在衬底上形成外围电路；形成覆盖所述外围电路的对准基准层，其中，所述对准基准层的面积大于所述外围电路中主动区域的面积；在所述衬底上全面形成电介质层；以所述对准基准层为对准基准，采用基于自对准技术的光刻工艺穿过所述电介质层形成外围电路接触孔。本发明提供的外围电路接触孔形成方法中，由于对准基准层的面积大于主动区域的面积，因而可以有效降低自对准技术的实现难度，提高自对准技术的准确性，从而经过光刻工艺刻蚀出位置精准的外围电路接触孔，进而可以提高三维存储器的成品率和质量。