本发明公开了一种垂直结构ZnO基LED芯片及其制备方法，芯片结构包括：由下至上依次排列的作为p型电极的金属Al反射电极、p型ZnxMg1‑xO衬底层、i型Al2O3薄膜层、n型ZnO薄膜层和n型电极。采用高质量的p型ZnxMg1‑xO衬底层，解决了难以制备高质量p型ZnO的困难，可以在较大程度上提高LED的光效，制备的LED芯片结构简单，简化了工艺，采用垂直结构，使用金属Al反射电极，对光具有极强的反射作用，有利于提高出光效率。