发明公开
- 专利标题: 高分散石墨烯改善掺杂离子的镍钴锰三元材料性能的方法
- 专利标题(英): Method for performance of highly-dispersed graphene-modified ion-doped Ni-Co-Mn ternary material
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申请号: CN201710813602.2申请日: 2017-09-11
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公开(公告)号: CN107611399A公开(公告)日: 2018-01-19
- 发明人: 李青海 , 童庆松 , 张晓红 , 余欣瑞 , 朱德钦 , 郑思宁
- 申请人: 福建师范大学 , 福建猛狮新能源科技有限公司
- 申请人地址: 福建省福州市福清市龙江街道校园新村1号福师大研发中心
- 专利权人: 福建师范大学,福建猛狮新能源科技有限公司
- 当前专利权人: 福建师范大学,福建猛狮新能源科技有限公司
- 当前专利权人地址: 福建省福州市福清市龙江街道校园新村1号福师大研发中心
- 代理机构: 福州君诚知识产权代理有限公司
- 代理商 戴雨君
- 主分类号: H01M4/36
- IPC分类号: H01M4/36 ; H01M4/50 ; H01M4/505 ; H01M4/52 ; H01M4/525 ; H01M4/62 ; H01M10/0525 ; H01M10/052 ; H01M10/05 ; H01G11/30 ; H01G11/36 ; H01G11/46
摘要:
本发明涉及高分散石墨烯改善掺杂离子的镍钴锰三元材料性能的方法,其特征在于:将石墨烯粉末与活性剂混合,经过混合、洗涤、抽滤得到插层石墨烯;加湿磨介质、掺杂离子的三元混合;干燥、冷却、烧结等步骤制得高分散石墨烯改善的掺杂离子的三元材料。所述的掺杂离子是钠、钾、镁、钙、锶、铝、镓、钛或是锌的离子。本发明的原料成本较低,原料来源广泛,制备工艺简单,操作简便,耗时少。与共沉淀方法相比,制备过程排放的污水明显减少,制备的样品中不存在LiMn6超晶格结构,制备的电极材料的一致性好,组成均匀,具有优秀的放电性能,特别是在大电流条件下放电的循环性能佳,为产业化打下良好的基础。