本发明公开了一种凹槽型电极结构的InGaN基MSM可见光光电探测器。器件结构包括衬底（10）及生长于衬底（10）之上的外延层，其中，外延层自下而上的顺序依次为缓冲层（11），过渡层（12），非故意掺杂InxGa1‑xN有源层（13），在InxGa1‑xN有源层（13）上镀制的肖特基金属‑半导体‑金属（MSM）器件结构的插指状电极（14）和插指状电极（15），其中电极（14）沉积在原生InxGa1‑xN（13）的表面，电极（15）沉积在插指状凹槽（16）中。凹槽（16）采用干法或湿法刻蚀在有源层（13）上形成。与传统平面MSM结构相比，具有凹槽型电极结构的InGaN基MSM可见光探测器利用凹槽侧壁阻断载流子因InGaN原表面变程跃迁所产生的漏电流，可显著降低探测器的暗电流；同时，凹槽电极改善了电极间的电场分布，可有效提升光电流。