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CN107481938B 显示面板、显示装置及低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法 有权

显示面板、显示装置及低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法
摘要：
本发明提供一种显示面板、显示装置及低温多晶硅薄膜晶体管制备方法。该方法包括：提供衬底基板；在衬底基板上形成半导体层；在半导体层上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成第一金属层，对第一金属层进行图形化处理，得到第一金属栅极层；在第一金属层上形成第二绝缘层；在第二绝缘层上形成第二金属层，对第二金属层进行图形化处理，得到第二金属栅极层，第一、二金属层的材料采用钼、钽、铝、钨中的至少一种；在第二金属层上形成第三绝缘层；在第三绝缘层上形成第三金属层，并对第三金属层进行图形化处理，以形成源极和漏极；在第二绝缘层上形成使第一、二金属栅极层连接的第一过孔，在第三绝缘层上形成使源极和漏极与半导体层连接的第二过孔。
摘要（英）：

A display panel, a display device and a method for preparing a low-temperature polysilicon thin film transistor are provided. The method includes: providing a base substrate; forming a semiconducting layer on the base substrate; forming a first insulating layer on the semiconducting layer; forming a first metal layer on the first insulating layer and pattering the first metal layer to obtain a first metal gate layer; forming a second insulating layer on the first metal layer; forming a second metal layer on the second insulating layer and patterning the second metal layer to obtain a second metal gate layer; forming a third insulating layer on the second metal layer; forming a third metal layer on the third insulating layer and patterning the third metal layer to form a source and a drain. The LTPS technology can be applied to the production of large-size panels by adopting the present disclosure.

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