发明授权
- 专利标题： 晶圆抛光方法
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申请号： CN201610353248.5申请日： 2016-05-25
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公开(公告)号： CN107433517B公开(公告)日： 2021-02-12
- 发明人: 代迎伟 , 金一诺 , 王坚 , 王晖
- 申请人： 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区自由贸易试验区蔡伦路1690号第4幢
- 专利权人： 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
- 当前专利权人： 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区自由贸易试验区蔡伦路1690号第4幢
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 陆嘉
- 主分类号： B24B37/04
- IPC分类号： B24B37/04 ; B24B39/06 ; H01L21/304
摘要：
本发明揭示了一种晶圆抛光方法，该方法包括：膜厚测量步骤，对晶圆进行膜厚测量；移放晶圆步骤，将晶圆移放至工艺位置；预湿润及电化学抛光步骤，预湿润晶圆后对晶圆进行电化学抛光；后续处理步骤，对晶圆进行后续处理；晶圆根据其膜厚，预湿润及电化学抛光步骤被重复执行多次后才进入后续处理步骤。采用本发明的技术方案，能够大大缩短工艺时间，并保证抛光得到的晶圆表面具有良好的粗糙度。
公开/授权文献
- CN107433517A 晶圆抛光方法 公开/授权日：2017-12-05
