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发明公开
CN107367905A 制备高比表面积的光刻胶-石墨烯材料的复合体系的方法 有权

  • 专利标题： 制备高比表面积的光刻胶-石墨烯材料的复合体系的方法
  • 专利标题（英）： Method for preparing composite system with high specific surface area of photoresist and graphene material
  • 申请号： CN201710576149.8
    申请日： 2017-07-14
  • 公开(公告)号： CN107367905A
    公开(公告)日： 2017-11-21
  • 发明人: 邹应全 , 薛兵
  • 申请人： 北京师范大学
  • 申请人地址： 北京市海淀区新街口外大街19号
  • 专利权人： 北京师范大学
  • 当前专利权人： 北京师范大学
  • 当前专利权人地址： 北京市海淀区新街口外大街19号
  • 代理机构： 北京市中咨律师事务所
  • 代理商 李小梅; 刘金辉
  • 主分类号： G03F7/20
  • IPC分类号： G03F7/20 ;  G03F7/40 ;  G03F7/42 ;  C01B32/182
制备高比表面积的光刻胶-石墨烯材料的复合体系的方法
摘要：
本发明涉及一种制备光刻胶-石墨烯材料的复合体系的方法，其包括：1)提供包含石墨烯材料和光刻胶的混合物；2)采用掩模图形版对由步骤1)得到的混合物进行曝光；和3)用显影液处理由步骤2)得到的曝光的材料以除去未交联部分，得到光刻胶-石墨烯材料的复合体系，其中所述石墨烯材料选自石墨烯、氧化石墨烯及其混合物。本发明方法工艺简单且所得复合体系具有高比表面积。所得复合体系适用于制备催化剂载体、表面吸附材料和微传感器。
摘要（英）：

The invention relates to a method for preparing a composite system with a high specific surface area of photoresist and a graphene material. The method comprises the following steps: 1) providing a mixture containing the graphene material and the photoresist; 2) exposing the mixture obtained in step 1) by using a mask pattern board; and 3) processing the exposed material obtained in step 2) by using a developing solution to remove uncrosslinked part to obtain the composite system of the photoresist and the graphene material, wherein the graphene material is selected from the group consisting of graphene, graphene oxide and a mixture thereof. The method is simple in process, and the composite system has a high specific surface area. The composite system is suitable for the preparation of catalyst carriers, surface adsorption materials and micro sensors.

公开/授权文献
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