- 专利标题: 一种基于聚酰亚胺基底的柔性透明导电电极及其制备方法
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申请号: CN201710366038.4申请日: 2017-05-23
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公开(公告)号: CN107248422B公开(公告)日: 2019-05-21
- 发明人: 屠国力 , 曹中欢 , 姜鹏飞 , 李夫 , 申九林
- 申请人: 华中科技大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 专利权人: 华中科技大学
- 当前专利权人: 华中科技大学
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 代理机构: 华中科技大学专利中心
- 代理商 许恒恒; 李智
- 主分类号: H01B5/14
- IPC分类号: H01B5/14 ; H01B13/00
摘要:
本发明公开了一种基于聚酰亚胺基底的柔性透明导电电极,自下而上包括聚酰亚胺基底、浸润层、金属层、金属网格层以及减反射层。通过在PI基底和金属叠层之间设置浸润层,保证了金属叠层以及金属网格在基底上的粘附性,金属网格粘附性良好,保证了电极的低方块电阻,这样金属叠层可以做成超薄厚度,进而实现良好的透光率。本发明的电极结构各层之间协同作用,构成一套完整的技术方案,最终使得本发明的PI基底电极透光率高、方块电阻低,而且与器件连接时,由于减反射层的设置,一方面增加了光透过率,同时也避免了器件短路的问题。
公开/授权文献
- CN107248422A 一种基于聚酰亚胺基底的柔性透明导电电极及其制备方法 公开/授权日:2017-10-13