发明授权
- 专利标题: 多层电容器的制造方法
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申请号: CN201710552554.6申请日: 2017-07-07
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公开(公告)号: CN107204331B公开(公告)日: 2019-08-23
- 发明人: 刘玮荪
- 申请人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
- 专利权人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
- 代理机构: 上海思微知识产权代理事务所
- 代理商 屈蘅
- 主分类号: H01L23/64
- IPC分类号: H01L23/64
摘要:
本发明提出了一种多层电容器的制造方法,通过形成多层电容器的第一电极、第二电极和介电层,形成多个电容器层,减小了电容器的体积,再形成介质层以包裹住多层电容器,采用刻蚀的方法刻蚀层叠体一侧的第一电极,使层叠体这一侧的第一电极较第二电极短,采用刻蚀的方法刻蚀层叠体另一侧的第二电极,使层叠体这一侧的第二极较第一电极短,避免了刻蚀大量的沟槽和使用更多的掩模层,精简了工艺、提升了多层电容器的器件的性能。
公开/授权文献
- CN107204331A 多层电容器的制造方法 公开/授权日:2017-09-26
IPC分类: