发明授权
- 专利标题： 半导体装置和其制造方法
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申请号： CN201710084874.3申请日： 2017-02-16
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公开(公告)号： CN107104055B公开(公告)日： 2021-08-03
- 发明人: 吴俊杰 , 赵昱翔 , 张仲尧 , 郭峻诚
- 申请人： 日月光半导体制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号邮编81170
- 专利权人： 日月光半导体制造股份有限公司
- 当前专利权人： 日月光半导体制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号邮编81170
- 代理机构： 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- 代理商 林斯凯
- 优先权： 15/049,352 20160222 US
- 主分类号： H01L21/56
- IPC分类号： H01L21/56 ; H01L21/60 ; H01L23/31 ; H01L23/488
摘要：
本发明涉及一种半导体装置和其制造方法。所述半导体装置包含衬底、第一封装本体和至少一个连接元件。所述衬底具有第一表面。所述第一封装本体安置为邻近于所述衬底的所述第一表面，且界定至少一个模腔。所述连接元件安置为邻近于所述衬底的所述第一表面且位于对应模腔中。在所述连接元件的一部分的周边表面与所述模腔的一部分的侧壁之间具有空间。所述连接元件的末端部分延伸超出所述第一封装本体的最外表面。
公开/授权文献
- CN107104055A 半导体装置和其制造方法 公开/授权日：2017-08-29
IPC分类:
