发明授权
- 专利标题: 熔石英表面纳米级损伤前驱体的钝化工艺
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申请号: CN201710169468.7申请日: 2017-03-21
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公开(公告)号: CN107088791B公开(公告)日: 2019-05-21
- 发明人: 石峰 , 戴一帆 , 钟曜宇 , 彭小强 , 胡皓 , 宋辞
- 申请人: 中国人民解放军国防科学技术大学
- 申请人地址: 湖南省长沙市砚瓦池正街47号
- 专利权人: 中国人民解放军国防科学技术大学
- 当前专利权人: 中国人民解放军国防科学技术大学
- 当前专利权人地址: 湖南省长沙市砚瓦池正街47号
- 代理机构: 湖南兆弘专利事务所
- 代理商 赵洪; 张鲜
- 主分类号: B24B1/00
- IPC分类号: B24B1/00
摘要:
本发明公开了一种熔石英表面纳米级损伤前驱体的钝化工艺,包括以下步骤:(1)对均方根粗糙度Rq小于0.5nm的熔石英元件表面进行等离子体清洗处理,以去除熔石英元件表面的水解层,暴露出熔石英元件亚表面的纳米级损伤前驱体;(2)对经步骤(1)处理的熔石英元件表面进行等离子体钝化处理,使纳米级损伤前驱体钝化。该工艺具有流程简单,可操作性强、能够去除熔石英表面纳米级损伤前驱体,不会引起元件表面二次污染等优点,采用该工艺能够加工出高精度和高表面质量的光学元件,从而有效的提升熔石英元件的抗激光损伤能力。
公开/授权文献
- CN107088791A 熔石英表面纳米级损伤前驱体的钝化工艺 公开/授权日:2017-08-25