发明授权
- 专利标题: 混响室条件下辐射敏感度测试方法及装置
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申请号: CN201710127143.2申请日: 2017-03-06
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公开(公告)号: CN107037283B公开(公告)日: 2019-08-20
- 发明人: 魏光辉 , 胡德洲 , 潘晓东 , 万浩江 , 卢新福
- 申请人: 中国人民解放军军械工程学院
- 申请人地址: 河北省石家庄市和平西路97号
- 专利权人: 中国人民解放军军械工程学院
- 当前专利权人: 中国人民解放军军械工程学院
- 当前专利权人地址: 河北省石家庄市和平西路97号
- 代理机构: 石家庄国为知识产权事务所
- 代理商 陆林生
- 主分类号: G01R31/00
- IPC分类号: G01R31/00
摘要:
本发明适用于电磁技术领域,提供了一种混响室条件下的辐射敏感度测试方法及装置。该方法包括:测量混响室中多个搅拌位置下受测设备受到干扰的次数和场强的直角分量,并根据受测设备受到干扰的次数和场强直角分量,计算干扰概率和参数σ;根据测试频率和所述受测设备的尺寸计算波数和能够包含受测设备的最小球体的半径,并根据所述波数和半径得出受测设备的方向性系数最大值;根据参数σ、干扰频率和方向性系数最大值,结合预设模型得出受测设备的临界辐射干扰场强。该方法能够解决混响室中受测设备的辐射敏感度测试结果与均匀场相关性较差的问题,尤其适用于复杂的电大尺寸设备,为混响室条件下设备的辐射敏感度测试提供新的思路。
公开/授权文献
- CN107037283A 混响室条件下辐射敏感度测试方法及装置 公开/授权日:2017-08-11